半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。以下有四種產(chǎn)品簡(jiǎn)介：HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀  HN7033A自動(dòng)電容電流測(cè)試儀 HN6065接地引下線導(dǎo)通測(cè)試儀  HN7036A大型地網(wǎng)接地電阻測(cè)試儀
高壓介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x

HN6000A四通道變頻抗干擾高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀 
   
   該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備?？梢詼y(cè)量電容式電壓互感器的tg及主電容C1、C2電容量。適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器、套管、電容器、避雷器等設(shè)備的介損測(cè)量。高壓介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x

抗干擾介損自動(dòng)測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)
    1、準(zhǔn)確度：
    Cx: ±（讀數(shù)×1%+1pF）
    tg: ±（讀數(shù)×1%+0.00040）
    2、抗干擾指標(biāo)： 變頻抗干擾，在200%干擾下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度
    3、電容量范圍：
    內(nèi)施高壓： 3pF～60000pF/10kV 60pF～1μF/0.5kV
    外施高壓： 3pF～1.5μF/10kV 60pF～30μF/0.5kV
    分辨率： 更高0.001pF，4位有效數(shù)字
    4、tg范圍： 不限，分辨率0.001%，電容、電感、電阻三種試品自動(dòng)識(shí)別。
    5、試驗(yàn)電流范圍：10μA～1A借助現(xiàn)場(chǎng)總線通信(HART、Profibus、FoundationFieldbus)，這些裝置能提供被測(cè)儀器的quot;健康狀態(tài)quot;信息，這種狀態(tài)信息可由資產(chǎn)監(jiān)測(cè)器加以利用。這些資產(chǎn)監(jiān)測(cè)器(如ABB的80OXA擴(kuò)展自動(dòng)化系統(tǒng))可探測(cè)到有關(guān)儀器性能的下降，通知相應(yīng)的人員開展進(jìn)一步調(diào)查，并在適當(dāng)?shù)那闆r下提供補(bǔ)救措施。無論作為簡(jiǎn)單的顯示或報(bào)警信息執(zhí)行，或是作為完整控制系統(tǒng)的一部分，這些功能都可讓客戶主動(dòng)對(duì)資產(chǎn)使用情況進(jìn)行優(yōu)化，而非被動(dòng)對(duì)突發(fā)事件做出反應(yīng)。
    6、內(nèi)施高壓： 
    設(shè)定電壓范圍：0.5～10kV
    輸出電流：200mA
    升降壓方式： 連續(xù)平滑調(diào)節(jié)
    試驗(yàn)頻率：
    45、50、55、60、65Hz單頻     
    45/55Hz、55/65Hz、47.5/52.5Hz自動(dòng)雙變頻
    頻率準(zhǔn)度： ±0.01Hz
    7、外施高壓：
    正接線時(shí)試驗(yàn)電流1A，工頻或變頻40-70Hz
    反接線時(shí)試驗(yàn)電流10kV/1A，工頻或變頻40-70Hz
    8、CVT自激法低壓輸出：輸出電壓3～50V，輸出電流3～30A

高壓介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x不過，CCD元件的制造成本高，在高感光度下的表現(xiàn)不太好，而且功耗較大。CMOS的色彩飽和度和質(zhì)感則略差于CCD，但處理芯片可以彌補(bǔ)這些差距。重要的是，CMOS具備硬件降噪機(jī)制，在高感光度下的表現(xiàn)要好于CCD，此外，它的讀取速度也更快。這些特性特別適合性能較高的單反相機(jī)，因此目前市場(chǎng)中常見的單反數(shù)碼相機(jī)幾乎都采用了CMOS傳感器。這些裝備了CMOS傳感器的數(shù)碼相機(jī)甚至具備了拍攝全高清（FullHD）視頻的能力，這是裝備了CCD的數(shù)碼相機(jī)目前無法做到的。

HN7033A自動(dòng)電容電流測(cè)試儀

直接從PT的二次側(cè)測(cè)量配電網(wǎng)的電容電流，與傳統(tǒng)的測(cè)試方法相比，該儀器無需和一次側(cè)打交道，因而不存在試驗(yàn)的性，無需做繁雜的安措施和等待冗長(zhǎng)的調(diào)度命令，只需將測(cè)量線接于PT的開口三角端就可以測(cè)量出電容電流的數(shù)據(jù)。上回我們說到直流充電樁的正常充電流程，那么問題來了，直流充電樁充電時(shí)又有哪些異常情況呢？我們不妨來了解一下，方便日后給充電樁系統(tǒng)“把脈"。，我們來簡(jiǎn)單回顧一下上周的精華內(nèi)容，即直流充電模型：直流充電模型左邊是非車載充電機(jī)（即直流充電樁），右邊是電動(dòng)汽車，二者通過車輛插頭、插座相連。我們可以很清楚的看到，充電模型主要由“非車載充電機(jī)"、“車輛接口"、“電動(dòng)汽車"這三部分構(gòu)成，所以充電異常中止基本也由這三部分引發(fā)，那么接下來我們將對(duì)這三部分進(jìn)行“體檢"分析。

自動(dòng)電容電流測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)
    1、測(cè)量范圍：對(duì)地總電容 ≤120μF（三相對(duì)地）
       電容電流 ≤500A（35kv系統(tǒng)）
       電容電流 ≤200A（10kv系統(tǒng)）
    2、測(cè)量精度：0.5μF～5μF   ±10%±50個(gè)字
                 5μF～90μF    ±5%
                 90μF～120μF  ±10%他們之前都可以測(cè)距測(cè)高測(cè)量角度，價(jià)格鐳創(chuàng)這個(gè)*高，價(jià)位在3元左右，圖柏斯價(jià)格從35-155左右。奧卡價(jià)格在3-5區(qū)間。歐尼卡激光測(cè)距儀以1-3區(qū)間為主。激光測(cè)距儀什么牌子好測(cè)量物體之間的距離是我們生活中常遇到的事情，尤其是裝修新家的時(shí)候，對(duì)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確度要求就更高了，常見的皮尺、卷尺之類的測(cè)量工具，在使用的便捷程度和準(zhǔn)確度上都有所欠缺，所以作為一個(gè)有著2年經(jīng)驗(yàn)的裝修老師傅，我在了解了激光測(cè)距儀這個(gè)更加高級(jí)的測(cè)量工具之后，從那以后我的測(cè)量工具都變成了激光測(cè)距儀。

HN6065接地引下線導(dǎo)通測(cè)試儀